Η κορεάτικη εταιρία ανακοίνωσε την έναρξη της μαζικής παραγωγής HBM2 chip μνήμης οι οποίες θα κάνουν την εμφάνισή τους με τις νέες κάρτες γραφικών των AMD - NVIDIA.


Οι νέες μνήμες έχουν χωρητικότητα 4GB και κάθε stack αποτελείται από 4 die (στρώματα) των 8gbit έκαστο ενώ κατασκευάζονται στη λιθογραφία των 20 νανομέτρων. Το bandwidth των μνημών νέας τεχνολογίας είναι το διπλάσιο απ' ότι οι HBM(1), αγγίζοντας τα 256GBps (2Gbps per pin) και εύρος διαύλου 1024-bit. Η Samsung τονίζει πως η νέα υλοποίηση εξοικονομεί περίπου 95% χώρο στο PCB σε σχέση με τις σημερινές GDDR5 που βρίσκονται στη πλειοψηφία των καρτών της αγοράς.


Παράλληλα, βελτιώσεις στην κατανάλωση είναι ένα σημαντικός παράγοντας μιας και οι νέες μνήμες θα λειτουργούν στα 1.2V από 1.5V και 1.35V για τις GDDR5. Επίσης, υπάρχουν σχέδια για διπλάσια χωρητικότητα με 8 die's (στρώματα) για μεγαλύτερη εξοικονόμηση χώρου για high end κάρτες προς το τέλος του έτους. Οι πρώτες κάρτες αναμένεται να κυκλοφορήσουν από τις NVIDIA και AMD προς τα μέσα του χρόνου, ενώ πιθανότατα θα δούμε και βελτιωμένες εκδόσεις με τη διπλάσια μνήμη προς στο 2017. Η τεχνολογία θα περάσει και στην αγορά των επεξεργαστών αργότερα μέσα στο έτος από την AMD.

 [Πρέπει να είστε εγγεγραμμένοι και συνδεδεμένοι για να δείτε αυτόν το σύνδεσμο.]

 [Πρέπει να είστε εγγεγραμμένοι και συνδεδεμένοι για να δείτε αυτόν το σύνδεσμο.]