Ξένες ιστοσελίδες διοχετεύουν την είδηδη ότι η Intel ξεπέρασε το νόμου του Μούρ προκειμένου να κατασκευάσει chip μικρότερα των 10 νανομέτρων με την χρήση εξωτικού υλικού. Με όριο όλο και μικρότερα τρανζίστορ πυριτίου φτάσαμε στην εποχή όπου η Intel διαμορφώνει την τεχνολογία με τη λιθογραφία των 10nm και των 7nm.
Έτσι η φημισμένη φίρμα κατασκευής ημιαγωγών Intel υποστηρίζει ότι τα 10 νανόμετρα είναι εφικτά με ένα νέο υλικό κατασκευής το οποίο ολοκληρώνει την διαδικασία κατασκευής τους μέσα στο 2017 με τους επεξεργαστές Cannonlake.. Δημοσιεύματα που αποκαλύφθηκαν στο διαδίκτυο, όπως του γνωστού αναλυτή David Kanter ( στο RealWorldTech), συγκλίνουν στο γεγονός ότι η Intel θα παρουσιάζει τα πρώτα chip βασισμένα στα 10nm το 2017 και πως η εταιρεία θα εισάγει μαζί με τη λιθογραφία και ένα νέο υλικό κατασκευής ονόματι QWFET (Quantum Well FET) τρανζίστορ που έχουν ως βάση τη κβαντική τεχνολογία. Καταληκτικά η επικρατούσα τάση που θα απαιτούν για να λειτουργήσουν θα είναι 0,5V σε σχέση με τα 0.7V των σημερινών chip.

 [Πρέπει να είστε εγγεγραμμένοι και συνδεδεμένοι για να δείτε αυτόν το σύνδεσμο.]

Source: [Πρέπει να είστε εγγεγραμμένοι και συνδεδεμένοι για να δείτε αυτόν το σύνδεσμο.]