Η SanDisk Corporation ανακοίνωσε πως ολοκλήρωσε επιτυχώς την ανάπτυξη των 48-layer 3D NAND δεύτερη γενιάς με την μαζική παραγωγή να ξεκινά στις αρχές του 2016. Συγκεκριμένα η γνωστή κατασκευάστρια εταιρεία θα ξεκινήσει την πιλοτική κατασκευή των 3D NAND στο δεύτερο μισό του 2015, όμως η μαζική παραγωγή, που στην ουσία ενδιαφέρει την πλειοψηφία των καταναλωτών θα ξεκινήσει μέσα στο 2016 στις εγκαταστάσεις της κοινοπραξίας Toshiba-SanDisk στο Yokkaichi της Ιαπωνίας.
Ο Dr. Siva Sivaram, executive vice president, memory technology, SanDisk δήλωσε: "Ήμαστε αρκετά ικανοποιημένοι από τις 3D NAND δεύτερης γενιάς όπου κατασκευάζονται με την αρχιτεκτονική των 48 στρωμάτων σε συνεργασία με την Toshiba." H SanDisk αναμένεται να χρησιμοποιήσει τα εν λόγω chips σε προϊόντα αποθήκευσης, από αφαιρούμενα μέσα μέχρι και solid state drives για την enterprise αγορά.

HashTags: [Πρέπει να είστε εγγεγραμμένοι και συνδεδεμένοι για να δείτε αυτόν το σύνδεσμο.]

Source: [Πρέπει να είστε εγγεγραμμένοι και συνδεδεμένοι για να δείτε αυτόν το σύνδεσμο.]