Η Toshiba και η SanDisk παρουσιάζουν τη δική τους πρόταση στην τεχνολογία 3D NAND, για τη βελτίωση των υποδομών αποθήκευσης. Αξίζει να σημειωθεί ότι η SanDisk ισχυρίζεται ότι έχει ήδη καταφέρει να δημιουργήσει μία μνήμη χωρητικότητας 256 Gbit, με 48 διαφορετικά στρώματα, τεχνολογία 3-bit σε κάθε cell και 3D NAND, κατά τα πρότυπα που είχε παρουσιάσει η Intel, προκειμένου να προσφέρονται πολύ μεγάλες ταχύτητες ανάγνωσης και αποθήκευσης των δεδομένων.
Συνεργάτης της SanDisk είναι η Toshiba, στη δημιουργία του chip μνήμης, με τις πρώτες αποστολές της μνήμης νέας τεχνολογίας να είναι προγραμματισμένες για το 2016. Ήδη από τον περασμένο Μάρτιο, η SanDisk με την Toshiba είχαν παρουσιάσει ένα flash memory chip, με 2 bit σε κάθε cell, στα 128 Gbit, ενώ τώρα παρουσιάζουν μία βελτιωμένη έκδοση στα 3 Bit για κάθε cell, προκειμένου να αυξηθεί η απόδοση και η ταχύτητα. Όλα δείχνουν ότι η τεχνολογία 3D NAND θα είναι ένα θέμα που θα μας απασχολήσει πολύ στο άμεσο μέλλον, καθώς εκτός από την SanDisk και την Toshiba, η Samsung έχει δηλώσει από την μεριά της ότι έχει έρθει σε ανάλογη συμφωνία με την Google για να προμηθεύσει με 3D NAND Solid State Drives τα data centers που εκείνη χρησιμοποιεί.

 [Πρέπει να είστε εγγεγραμμένοι και συνδεδεμένοι για να δείτε αυτόν το σύνδεσμο.]

Source: [Πρέπει να είστε εγγεγραμμένοι και συνδεδεμένοι για να δείτε αυτόν το σύνδεσμο.]