Η τεχνολογία είναι ακόμη σε πρώιμο στάδιο, όμως έχει αρκετά θετικά στοιχεία τα οποία μπορούν να υπερτερήσουν στο τελικό προϊόν. Ο νέος τύπος ονομάζεται STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) και στην ουσία, όπως λέει και το όνομά της, χρησιμοποιεί την κίνηση ενός ηλεκτρονίου για να καταγράψει το "1 ή το 0" ενώ το proof of concept της Avalanche μπορεί να κλιμακωθεί εύκολα μέχρι και τα 10nm, καθώς το συγκεκριμένο δείγμα της τεχνολογίας βρίσκεται στα 55nm, όμως η εταιρία ελπίζει σε μια γρήγορη υιοθέτηση από την βιομηχανία. Ένα εξίσου ιδιαίτερο χαρακτηριστικό, είναι πως οι εν λόγω μνήμες δε θα χρειάζεται να τοποθετούνται σε πολλαπλά "στρώματα" κάτι που μειώνει την παραγόμενη θερμότητα, ακόμα και όταν η πυκνότητα βρίσκεται σε υψηλά επίπεδα. Περισσότερα για την τεχνολογία έχουν αναρτηθεί στο website της Avalanche.

 [Πρέπει να είστε εγγεγραμμένοι και συνδεδεμένοι για να δείτε αυτόν το σύνδεσμο.]

Source: [Πρέπει να είστε εγγεγραμμένοι και συνδεδεμένοι για να δείτε αυτόν το σύνδεσμο.]