Η Samsung ανακοίνωσε ότι η μαζική παραγωγή της πρώτης 256-Gigabit, τρισδιάστατης (3D) Vertical NAND (V-NAND) flash μνήμης βασιζόμενη σε 48 layers από 3-bit MLC (Multi-Level Cell) arrays για χρήση σε solid state drives.
Αυτό σημαίνει ότι η νέα μνήμη 3D V-NAND flash 256Gb διπλασιάζει την πυκνότητα σε σχέση με τα συμβατικά 128Gb NAND flash chips και επομένως, με την ενεργοποίηση 32GB (Gigabytes) αποθηκευτικού χώρου σε ένα μοναδικό die, σύντομα θα μιλάμε για SSDs με multi-terabyte χωρητικότητα.

Η Samsung εμφάνισε για πρώτη φορά τα 2ης γενιάς V-NAND chips (32-layer 3-bit MLC V-NAND) τον Αύγουστο του 2014, και ένα χρόνο μετά, όχι μόνο παρουσίασε, αλλά ξεκίνησε και την μαζική παραγωγή των 3ης γενιάς V-NAND chips (48-layer 3-bit MLC V-NAND), διατηρώντας τον ρόλο του ηγέτη στον χώρο της κατασκευής τρισδιάστατων chips μνήμης. Κάθε chip ενσωματώνει, λόγω της δομής 3D Charge Trap Flash, περίπου 85,3 δισεκατομμύρια cells, και κάθε ένα αποθηκεύει 3-bit δεδομένων.


Αυτό που είναι αξιοσημείωτο, είναι πως πρόκειται να απολαμβάνουμε διπλάσιες χωρητικότητες στα SSDs σε σχέση με το παρελθόν, χωρίς μάλιστα να χρειάζεται να πληρώσουμε απαραίτητα τα διπλάσια χρήματα (η κατασκευή των νέων τύπων chips είναι 40% περισσότερο παραγωγική λέει η εταιρεία, οπότε αναμένεται ο λόγος GB/€ να είναι μεγαλύτερος). Η Samsung θα κατασκευάζει chips του είδους για όλο το υπόλοιπο του 2015, ώστε να ενεργοποιήσει την υϊοθέτηση SSDs επιπέδου terabyte όσο το δυνατόν ταχύτερα.

 [Πρέπει να είστε εγγεγραμμένοι και συνδεδεμένοι για να δείτε αυτόν το σύνδεσμο.]

Source: [Πρέπει να είστε εγγεγραμμένοι και συνδεδεμένοι για να δείτε αυτόν το σύνδεσμο.]