Οι πρώτες μνήμες χωρητικότητας 128GB μπαίνουν στη παραγωγή από την Samsung Electronics. Η εταιρία χρησιμοποιεί την κατασκευαστική μέθοδο TSV (through silicon via) στα νέα DDR4 RDIMMs των 128GB με στόχο, τους μεγάλους enterprise servers και τα data centers. Μετά από τις 3D TSV DDR4 των 64GB που αποκάλυψε πέρυσι η εταιρία, άλλο ένα milestone έρχεται να προστεθεί στο portfolio της. Τα registered dual inline memory module ανοίγουν τον δρόμο για την αύξηση της προσωρινής μνήμης σε συστήματα enterprise επιπέδου. Κάθε RDIMM αποτελείται από 36 μνήμες των 4GB για συνολικά 144 chips, καθένα από αυτά κατασκευάζεται στα 20 νανόμετρα (8 gigabit).

 [Πρέπει να είστε εγγεγραμμένοι και συνδεδεμένοι για να δείτε αυτόν το σύνδεσμο.]

Source: [Πρέπει να είστε εγγεγραμμένοι και συνδεδεμένοι για να δείτε αυτόν το σύνδεσμο.]